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3nm gaa
3nm gaa 文章 最新資訊
臺(tái)積電再創(chuàng)單月?tīng)I(yíng)收歷史新高紀(jì)錄
- 臺(tái)積電公布了最新的月度營(yíng)收?qǐng)?bào)告。數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電2026年1月合并營(yíng)收突破4000億元臺(tái)幣大關(guān),達(dá)到了4012.6億元臺(tái)幣,同比增長(zhǎng)36.8%,環(huán)比增長(zhǎng)19.8%,再創(chuàng)單月歷史新高紀(jì)錄。此前的最高紀(jì)錄是2025年10月創(chuàng)下的,當(dāng)月?tīng)I(yíng)收為3674.7億元臺(tái)幣。2025年全年,臺(tái)積電累計(jì)營(yíng)收約為38090.54億元臺(tái)幣,同比增長(zhǎng)31.6%。盡管存在AI泡沫擔(dān)憂,但全球科技巨頭并未減少芯片訂單。臺(tái)積電預(yù)期在2024年至2029年的五年期間,AI業(yè)務(wù)的年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)到中到高雙位數(shù)(即50%以上)。面對(duì)分析師提出
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小米最強(qiáng)旗艦芯片!玄戒O2繼續(xù)使用臺(tái)積電3nm工藝
- 1月28日消息,去年5月,小米正式推出自主研發(fā)的旗艦SoC——玄戒O1,這顆芯片由玄戒團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì),采用臺(tái)積電第二代3nm工藝,CPU和GPU都采用了Arm方案,多核跑分成績(jī)超過(guò)9000分,躋身行業(yè)第一梯隊(duì)。但小米并未大范圍在其自家產(chǎn)品上應(yīng)用玄戒O1,僅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量產(chǎn)品搭載。小米創(chuàng)辦人雷軍曾在接受采訪時(shí)表示,研芯片需要有三到四年的研發(fā)周期,第一代是在驗(yàn)證技術(shù),所以預(yù)定數(shù)量少,下一步我們會(huì)全部自研四合一的域控制,為將來(lái)小米自研芯片上車做好準(zhǔn)備。進(jìn)入2026年,小米玄戒O2
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投資人認(rèn)為臺(tái)積電明年真正瓶頸是3nm產(chǎn)能
- 臺(tái)積電后市受到臺(tái)股投資人高度關(guān)注,多家投顧看好明年股價(jià)續(xù)創(chuàng)新高,甚至被喊上2000元。 對(duì)此,法人認(rèn)為,比起先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求,明年真正的瓶頸會(huì)是3納米產(chǎn)能,受到矚目。市場(chǎng)多半看好臺(tái)積電明年改寫(xiě)1525元?dú)v史天價(jià),永豐投顧開(kāi)出目標(biāo)價(jià)1917元; 第一金也給予1800元目標(biāo)價(jià); 摩根士丹利(大摩)給出1688元目標(biāo)。 臺(tái)新新光金控首席經(jīng)濟(jì)學(xué)家李鎮(zhèn)宇則認(rèn)為,臺(tái)積電漲到2千元是遲早的問(wèn)題,但關(guān)稅戰(zhàn)和232條款要趕快落幕。臺(tái)積電持續(xù)受惠人工智能熱潮,先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝訂單滿載,工商報(bào)導(dǎo),騰旭投資投資長(zhǎng)程正樺分析
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臺(tái)積電美國(guó)廠利潤(rùn)出現(xiàn)跳水式下降
- 臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的工廠正面臨嚴(yán)峻的財(cái)務(wù)壓力,數(shù)據(jù)顯示該工廠的利潤(rùn)呈斷崖式下滑 —— 2025年第二季度盈利42.32億新臺(tái)幣(現(xiàn)約合9.68億元人民幣),而在第三季度驟降至僅4100萬(wàn)新臺(tái)幣(現(xiàn)約合938.1萬(wàn)元人民幣),降幅達(dá)到99%。美國(guó)業(yè)務(wù)成本持續(xù)高企利潤(rùn)下滑的核心原因在于,臺(tái)積電正加速推進(jìn)其亞利桑那二廠向3nm等高端制程節(jié)點(diǎn)的轉(zhuǎn)型。與專注于成熟制程并取得成功的一廠不同,二廠的目標(biāo)是滿足由AI熱潮驅(qū)動(dòng)的、對(duì)尖端芯片不斷增長(zhǎng)的客戶需求。轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程意味著必須投入極其昂貴的工藝設(shè)備,從而大幅推高
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臺(tái)積電3nm供應(yīng)缺口預(yù)計(jì)將持續(xù)兩年以上
- 面對(duì)英偉達(dá)等AI芯片大客戶對(duì)先進(jìn)制程的爆炸性需求,臺(tái)積電的先進(jìn)制程產(chǎn)能正全面告急。摩根大通最新發(fā)布的報(bào)告指出,臺(tái)積電的3nm制程產(chǎn)能在2026年將出現(xiàn)較大供應(yīng)缺口,即便通過(guò)轉(zhuǎn)換舊產(chǎn)線與跨廠協(xié)作提升產(chǎn)能,2026年底能夠達(dá)到14萬(wàn)至14.5萬(wàn)片的產(chǎn)能,仍難以滿足全部需求,這也將導(dǎo)致客戶爭(zhēng)相支付高額溢價(jià)以獲取產(chǎn)能,推動(dòng)臺(tái)積電整體毛利率有望突破60%。報(bào)告指出,目前包括英偉達(dá)、蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、谷歌、亞馬遜、Meta與微軟等主要客戶都已提前鎖定臺(tái)積電3nm制程的產(chǎn)能:比如英偉達(dá)Rubin、谷歌TPU v7、亞
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高通驍龍8 Gen 5芯片核心信息曝光:與驍龍8 Elite Gen 5一體雙生
- 11 月 12 日消息,博主數(shù)碼閑聊站 今天在微博發(fā)文稱,高通驍龍 8 Gen 5 芯片的芯片制程和規(guī)格將與驍龍 8 Elite Gen 5“一體雙生”。根據(jù)博主的說(shuō)法,高通會(huì)長(zhǎng)期保持迭代 8 Gen X 這條產(chǎn)品線,構(gòu)成標(biāo)準(zhǔn)版和 Pro 版的市場(chǎng)格局,定位對(duì)標(biāo)蘋(píng)果。性能方面,驍龍 8 Gen 5 的內(nèi)部數(shù)據(jù)是安兔兔跑分>驍龍 8 至尊版,Geekbench 6 單核性能<驍龍 8 至尊版,多核跑分>驍龍 8 至尊版,某些新機(jī)游戲體驗(yàn)≥驍龍 8 至尊版,套片價(jià)格≥驍龍 8 至尊版,在未來(lái)的中端旗艦產(chǎn)品線中
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谷歌首款基于Arm的CPU Axion采用臺(tái)積電3nm,并支持創(chuàng)意電子設(shè)計(jì)
- 隨著全球云提供商增加內(nèi)部 AI ASIC,谷歌也在加倍努力。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道,除了推進(jìn) TPU v7p (Ironwood) 外,該公司還押注于 Axion——其首款基于 Arm 的 CPU——據(jù)報(bào)道,該公司基于臺(tái)積電的 3nm 節(jié)點(diǎn)構(gòu)建,并得到了代工廠附屬公司 Global Unichip 的設(shè)計(jì)支持。臺(tái)積電董事長(zhǎng) C.C. Wei 在上周的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上暗示了強(qiáng)勁的人工智能驅(qū)動(dòng)需求,《商業(yè)時(shí)報(bào)》指出,除了 NVIDIA 服務(wù)器之外,谷歌云項(xiàng)目也將推動(dòng)這家代工巨頭最大的數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),協(xié)助設(shè)
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臺(tái)積電3nm與5nm產(chǎn)能持續(xù)滿載
- 據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,有芯片設(shè)計(jì)業(yè)者透露,臺(tái)積電3nm與5nm產(chǎn)能持續(xù)滿載,產(chǎn)能利用率(UTR)明年上半年將達(dá)到近100%水平, 其中3nm制程訂單更是被大廠訂滿,比如手機(jī)芯片巨頭高通、蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科,在高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域則有英偉達(dá)Rubin等加持,市場(chǎng)需求也超預(yù)期。3nm將成為臺(tái)積電營(yíng)收關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。報(bào)道稱,目前多家廠商新一代旗艦級(jí)手機(jī)芯片競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)開(kāi)打,蘋(píng)果A19系列、高通第五代驍龍8至尊版、聯(lián)發(fā)科天璣9500均是基于臺(tái)積電N3P制程打造。此外,還有多新款PC處理器,比如蘋(píng)果M5、高通驍龍X2 El
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GAA晶體管市場(chǎng)規(guī)模、份額和趨勢(shì)預(yù)測(cè)(2034)
- 全方位柵極 (GAA) 晶體管市場(chǎng)規(guī)模是多少?2024年全球柵極全環(huán)(GAA)晶體管市場(chǎng)規(guī)模為6.0005億美元,預(yù)計(jì)將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元,2025年至2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率為12.84%。該行業(yè)代表了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大進(jìn)步,為未來(lái)的電子設(shè)備提供了更高的性能和可擴(kuò)展性。隨著 GAA 晶體管市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng),了解其市場(chǎng)規(guī)模和預(yù)計(jì)擴(kuò)張對(duì)于利益相關(guān)者和行業(yè)分析師至關(guān)重要。市場(chǎng)亮點(diǎn)到 2024 年,亞太地區(qū)主導(dǎo)了全環(huán)柵極 (GAA) 晶體管市場(chǎng),市場(chǎng)份額最大,達(dá)到
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臺(tái)積電3nm與5nm產(chǎn)能滿載
- 據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》9月27日?qǐng)?bào)道,臺(tái)積電3nm與5nm制程的產(chǎn)能利用率(UTR)預(yù)計(jì)在明年上半年接近100%。其中,3nm制程訂單已被蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等大廠訂滿,市場(chǎng)需求超出預(yù)期。在高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域,英偉達(dá)Rubin GPU、AMD MI355X等芯片也將采用3nm制程,成為臺(tái)積電營(yíng)收增長(zhǎng)的重要驅(qū)動(dòng)力。供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電5nm以下先進(jìn)制程同樣供不應(yīng)求,多家大廠爭(zhēng)相投片,預(yù)計(jì)明年上半年產(chǎn)能將接近滿載。這為臺(tái)積電提供了明年報(bào)價(jià)調(diào)漲的底氣,以緩解海外工廠運(yùn)營(yíng)對(duì)毛利率的稀釋影響。此外,臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠管
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臺(tái)積電2nm制程計(jì)劃將對(duì)所有客戶“不打折、不議價(jià)”,價(jià)格比3nm高出約50%-66%
- 全球晶圓代工企業(yè)圍繞2nm制程的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電已將2nm制程晶圓價(jià)格定為每片約3萬(wàn)美元,并對(duì)所有客戶實(shí)行統(tǒng)一價(jià)格。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)消息人士透露,臺(tái)積電宣布,計(jì)劃將2nm制程的生產(chǎn)價(jià)格定為每片3萬(wàn)美元,且對(duì)所有客戶實(shí)施“不打折、不議價(jià)”的策略。這比目前的3nm制程價(jià)格高出約50%-66%。臺(tái)積電2nm制程良率快速攀升得益于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)化,臺(tái)積電2nm制程自去年7月在新竹寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)以來(lái),良率從去年底的60%快速攀升至當(dāng)前的90%(256Mb SRAM)。供應(yīng)鏈傳出,最近臺(tái)積電位于高雄
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 3nm 三星
據(jù)報(bào)道三星押注4-7納米工藝,價(jià)格比臺(tái)積電高出30%,瞄準(zhǔn)中國(guó)尚未進(jìn)入的市場(chǎng)
- 雖然英特爾已從 18A 轉(zhuǎn)向 14A 進(jìn)行戰(zhàn)略權(quán)衡,據(jù)報(bào)道三星通過(guò)優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協(xié),根據(jù) ZDNet。同時(shí),Chosun Biz 透露,這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計(jì)劃通過(guò)將這些節(jié)點(diǎn)的價(jià)格定價(jià)比臺(tái)積電低約 30%來(lái)提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手無(wú)法企及的領(lǐng)域。Chosun Biz 報(bào)道稱,三星的 4 納米工藝旨在通過(guò) SF4U 提升約 20%的能效來(lái)贏得訂單。據(jù)三星稱,SF4U 是一款高端 4 納米變體,采用光學(xué)縮小技術(shù)來(lái)
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm 晶圓代工
臺(tái)積電美國(guó)3nm晶圓廠基建完工,量產(chǎn)時(shí)間表曝光
- 據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電為滿足客戶對(duì)美國(guó)制造需求的增長(zhǎng),正在加速推進(jìn)其亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電亞利桑那州二廠(P2)已完成基建,預(yù)計(jì)將在2027年實(shí)現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)。目前,臺(tái)積電正根據(jù)客戶對(duì)AI芯片的強(qiáng)勁需求,加快量產(chǎn)進(jìn)度,整體時(shí)間表較原計(jì)劃有所提前。供應(yīng)鏈分析指出,臺(tái)積電此舉旨在回應(yīng)客戶需求,并應(yīng)對(duì)美國(guó)政府關(guān)稅政策的影響。據(jù)悉,亞利桑那州二廠的機(jī)臺(tái)最快將在明年9月進(jìn)場(chǎng)安裝,首批晶圓預(yù)計(jì)在2027年下線。通常情況下,晶圓廠在完成基建后,還需要約兩年時(shí)間進(jìn)行內(nèi)部廠務(wù)調(diào)整,臺(tái)積電的推
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特斯拉采用臺(tái)積電3nm工藝2026年量產(chǎn)HW5芯片
- 據(jù) Mydrivers 稱,特斯拉援引 Not a Tesla App 稱,據(jù)報(bào)道,特斯拉正準(zhǔn)備與臺(tái)積電作為其代工合作伙伴生產(chǎn)其下一代 FSD(全自動(dòng)駕駛)芯片——內(nèi)部稱為 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所說(shuō),有傳言稱特斯拉計(jì)劃使用臺(tái)積電的 3nm (N3P) 工藝。正如報(bào)告所強(qiáng)調(diào)的那樣,該芯片預(yù)計(jì)將提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能,與 HW4 相比,代際飛躍了 4 到 5 倍。據(jù)韓國(guó)媒體 Ma
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 臺(tái)積電 3nm HW5芯片
三星的3nm良率停留在50%,遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的90%
- 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點(diǎn)上獲得了牽引力(據(jù)報(bào)道來(lái)自任天堂的訂單),但它繼續(xù)在先進(jìn)的 3nm 水平上苦苦掙扎。據(jù)韓國(guó)媒體 Chosun Biz 報(bào)道,即使經(jīng)過(guò)三年的量產(chǎn),其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任,Chosun Biz 報(bào)道稱,谷歌的 Tensor G5 正在轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的 3nm,遠(yuǎn)離三星。正如 9to5Google 所強(qiáng)調(diào)的那樣,據(jù)報(bào)道,這家搜索引擎巨頭已在未來(lái) 3 到 5 年內(nèi)與臺(tái)積電鎖定了 Tenso
- 關(guān)鍵字: 三星 3nm 良率 臺(tái)積電
3nm gaa介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3nm gaa!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm gaa的理解,并與今后在此搜索3nm gaa的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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